封装/外壳：PG-DSO-8

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 7.7A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：800pF @ 15V

功率 - 最大值：1.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-DSO-8

安装风格：SMD/SMT

通道数量：2Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：7.7A

Rds On-漏源导通电阻：18.3mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：1V

Vgs - 栅极-源极电压：20V

Qg-栅极电荷：10nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+150C

配置：Dual

Pd-功率耗散：2W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：1.75mm

长度：4.9mm

系列：OptiMOS3M

晶体管类型：2N-Channel

宽度：3.9mm

正向跨导 - 最小值：9S

下降时间：3.4ns

上升时间：2.8ns

典型关闭延迟时间：6.4ns

典型接通延迟时间：5.7ns

Vds-漏源极击穿电压：30V

封装：Reel

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs